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1N1190

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Artikelnummer
1N1190
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
1N1190.pdf
Gesamt:$7.89663
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$7.89663

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Artikelnummer
1N1190
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.2V @ 35A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Chassis, Stud Mount
Paket / fall
DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package
DO-5
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 190°C

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