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DMG4407SSS-13

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Artikelnummer
DMG4407SSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMG4407SSS-13.pdf
Gesamt:$0.26194
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Artikelnummer
DMG4407SSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2246pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.45W (Ta)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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