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APTM120H140FT1G

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Artikelnummer
APTM120H140FT1G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$41.58540
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(In US-Dollar)
1Stck
$41.58540

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Artikelnummer
APTM120H140FT1G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Teilestatus
Active
FET-Typ
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
145nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3812pF @ 25V
Leistung max
208W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
SP1
Supplier Device Package
SP1

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