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STFI26N60M2

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Artikelnummer
STFI26N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STFI26N60M2.pdf
Gesamt:$3.93000
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(In US-Dollar)
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$3.93000

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Artikelnummer
STFI26N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAKFP (TO-281)
Paket / fall
TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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