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SUD50N10-18P-E3

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Artikelnummer
SUD50N10-18P-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SUD50N10-18P-E3.pdf
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Artikelnummer
SUD50N10-18P-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8.2A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 136.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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