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FDD86110

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Artikelnummer
FDD86110
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDD86110.pdf
Gesamt:$1.15125
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Artikelnummer
FDD86110
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12.5A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.2 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2265pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 127W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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