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SSM6N15AFE,LM

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Artikelnummer
SSM6N15AFE,LM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.06600

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Artikelnummer
SSM6N15AFE,LM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7.8pF @ 3V
Leistung max
150mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6 (1.6x1.6)

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