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TK10Q60W,S1VQ

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Artikelnummer
TK10Q60W,S1VQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$2.76000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.76000

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Artikelnummer
TK10Q60W,S1VQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 300V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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