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IXTC200N10T

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Artikelnummer
IXTC200N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTC200N10T.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IXTC200N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
101A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
ISOPLUS220™
Paket / fall
ISOPLUS220™

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