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FDS3512

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Artikelnummer
FDS3512
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.00505
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(In US-Dollar)
1Stck
$1.00505

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Artikelnummer
FDS3512
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
634pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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