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AIKW40N65DF5XKSA1

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Artikelnummer
AIKW40N65DF5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC DISCRETE 650V TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
AIKW40N65DF5XKSA1.pdf
Gesamt:$7.64000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$7.64000

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Artikelnummer
AIKW40N65DF5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC DISCRETE 650V TO247-3
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Trench
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
74A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Leistung max
250W
Energie wechseln
350µJ (on), 100µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
95nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
19ns/165ns
Testbedingung
400V, 20A, 15 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41

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