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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln BSZ100N03LSGATMA1

BSZ100N03LSGATMA1

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Artikelnummer
BSZ100N03LSGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSZ100N03LSGATMA1.pdf
Gesamt:$0.27844
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)		 1Stck
$0.27844

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Artikelnummer
BSZ100N03LSGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
Paket / fall
8-PowerTDFN

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