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IXTA1N170DHV

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Artikelnummer
IXTA1N170DHV
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTA1N170DHV.pdf
Gesamt:$11.45160
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$11.45160

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Artikelnummer
IXTA1N170DHV
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3090pF @ 25V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
290W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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