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HTNFET-D

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Artikelnummer
HTNFET-D
Hersteller
Honeywell Aerospace
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HTNFET-D.pdf
Gesamt:$406.00000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$406.00000

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Artikelnummer
HTNFET-D
Hersteller
Honeywell Aerospace
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 5V
Vgs (Max)
10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 28V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
8-CDIP-EP
Paket / fall
8-CDIP Exposed Pad

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