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APT18M100B

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Artikelnummer
APT18M100B
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$11.48000
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(In US-Dollar)
1Stck
$11.48000

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Artikelnummer
APT18M100B
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4845pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Paket / fall
TO-247-3

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