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BSC079N03SG

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Artikelnummer
BSC079N03SG
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSC079N03SG.pdf
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Artikelnummer
BSC079N03SG
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
14.6A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8
Paket / fall
8-PowerTDFN

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