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BSC032NE2LSATMA1

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Artikelnummer
BSC032NE2LSATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSC032NE2LSATMA1.pdf
Gesamt:$0.38038
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Artikelnummer
BSC032NE2LSATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
22A (Ta), 84A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8
Paket / fall
8-PowerTDFN

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