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DMN2500UFB4-7

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Artikelnummer
DMN2500UFB4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN2500UFB4-7.pdf
Gesamt:$0.08400
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Artikelnummer
DMN2500UFB4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
810mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
60.67pF @ 16V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
460mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Paket / fall
3-XFDFN

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