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RJK0332DPB-01#J0

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Artikelnummer
RJK0332DPB-01#J0
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RJK0332DPB-01#J0.pdf
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Artikelnummer
RJK0332DPB-01#J0
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
35A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2180pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
LFPAK
Paket / fall
SC-100, SOT-669

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