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SI1488DH-T1-GE3

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Artikelnummer
SI1488DH-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI1488DH-T1-GE3.pdf
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Artikelnummer
SI1488DH-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-70-6 (SOT-363)
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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