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SH8M13GZETB

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Artikelnummer
SH8M13GZETB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL
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$0.38360

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Artikelnummer
SH8M13GZETB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 10V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP

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