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SCT3080KLGC11

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Artikelnummer
SCT3080KLGC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$19.10000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$19.10000

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Artikelnummer
SCT3080KLGC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 18V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
785pF @ 800V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247N
Paket / fall
TO-247-3

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