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DMT10H015LSS-13

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Artikelnummer
DMT10H015LSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8.3A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMT10H015LSS-13.pdf
Gesamt:$0.53592
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$0.53592

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Artikelnummer
DMT10H015LSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8.3A
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
33.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1871pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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