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SI7980DP-T1-GE3

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Artikelnummer
SI7980DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7980DP-T1-GE3.pdf
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Artikelnummer
SI7980DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 10V
Leistung max
19.8W, 21.9W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual

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