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ZXMHC10A07N8TC

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Artikelnummer
ZXMHC10A07N8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXMHC10A07N8TC.pdf
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(In US-Dollar)
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$0.60900

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Artikelnummer
ZXMHC10A07N8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
800mA, 680mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
138pF @ 60V
Leistung max
870mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP

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