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TK16A60W,S4VX

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Artikelnummer
TK16A60W,S4VX
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
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Artikelnummer
TK16A60W,S4VX
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
15.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 300V
FET-Funktion
Super Junction
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220SIS
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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