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IXTA05N100HV

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Artikelnummer
IXTA05N100HV
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTA05N100HV.pdf
Gesamt:$3.36000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.36000

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Artikelnummer
IXTA05N100HV
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
750mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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