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PMV65UN,215

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Artikelnummer
PMV65UN,215
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PMV65UN,215.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
PMV65UN,215
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
76 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
183pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-236AB (SOT23)
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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