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R6020KNZ1C9

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Artikelnummer
R6020KNZ1C9
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
NCH 600V 20A POWER MOSFET
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Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$3.02000
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$3.02000

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Artikelnummer
R6020KNZ1C9
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
NCH 600V 20A POWER MOSFET
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
196 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1550pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
231W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Paket / fall
TO-247-3

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