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STB5N80K5

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Artikelnummer
STB5N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP.
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STB5N80K5.pdf
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Artikelnummer
STB5N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP.
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.75 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
177pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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