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FCPF165N65S3L1

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Artikelnummer
FCPF165N65S3L1
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$2.77000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.77000

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Artikelnummer
FCPF165N65S3L1
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1415pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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