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NXPSC04650DJ

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Artikelnummer
NXPSC04650DJ
Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NXPSC04650DJ.pdf
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Artikelnummer
NXPSC04650DJ
Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 4A
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
170µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F
130pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
DPAK
Betriebstemperatur - Übergang
175°C (Max)

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