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IXTH26P20P

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Artikelnummer
IXTH26P20P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTH26P20P.pdf
Gesamt:$6.38000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$6.38000

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Artikelnummer
IXTH26P20P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2740pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Paket / fall
TO-247-3

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