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FDT86113LZ

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Artikelnummer
FDT86113LZ
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDT86113LZ.pdf
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Artikelnummer
FDT86113LZ
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
315pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223-4
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA

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