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MBR600100CTR

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Artikelnummer
MBR600100CTR
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MBR600100CTR.pdf
Gesamt:$96.34800
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$96.34800

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Artikelnummer
MBR600100CTR
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Teilestatus
Active
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Anode
Diodentyp
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
880mV @ 300A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
1mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang
-
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Twin Tower
Supplier Device Package
Twin Tower

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