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PSMN6R3-120ESQ

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Artikelnummer
PSMN6R3-120ESQ
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PSMN6R3-120ESQ.pdf
Gesamt:$2.79000
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(In US-Dollar)
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$2.79000

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Artikelnummer
PSMN6R3-120ESQ
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
207.1nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
11384pF @ 60V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
405W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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