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IPD80R600P7ATMA1

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Artikelnummer
IPD80R600P7ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD80R600P7ATMA1.pdf
Gesamt:$0.83524
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(In US-Dollar)
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$0.83524

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Artikelnummer
IPD80R600P7ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 500V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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