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TN2510N8-G

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Artikelnummer
TN2510N8-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.78280
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$0.78280

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Artikelnummer
TN2510N8-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
730mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
125pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-243AA (SOT-89)
Paket / fall
TO-243AA

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