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1N5552US

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Artikelnummer
1N5552US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$14.12000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$14.12000

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Artikelnummer
1N5552US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.2V @ 9A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SQ-MELF, B
Supplier Device Package
D-5B
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 175°C

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