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NP32N055SLE-E1-AY

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Artikelnummer
NP32N055SLE-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NP32N055SLE-E1-AY.pdf
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Artikelnummer
NP32N055SLE-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta), 66W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (MP-3ZK)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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