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ES2FHM4G

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Artikelnummer
ES2FHM4G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ES2FHM4G.pdf
Gesamt:$0.12744
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Artikelnummer
ES2FHM4G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.3V @ 2A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F
20pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-214AA, SMB
Supplier Device Package
DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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