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IX2120B

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Artikelnummer
IX2120B
Hersteller
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung
1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IX2120B.pdf
Gesamt:$2.85000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.85000

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Artikelnummer
IX2120B
Hersteller
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung
1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI
Teilestatus
Active
Angetriebene Konfiguration
Half-Bridge
Kanaltyp
Independent
Anzahl der Treiber
2
Gate-Typ
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung
15V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
6V, 9.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)
2A, 2A
Eingabetyp
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap)
1200V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)
9.4ns, 9.7ns
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Supplier Device Package
28-SOIC

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