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TK5P53D(T6RSS-Q)

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Artikelnummer
TK5P53D(T6RSS-Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
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Artikelnummer
TK5P53D(T6RSS-Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
525V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-Pak
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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