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FGB40N60SM

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Artikelnummer
FGB40N60SM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 80A 349W D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FGB40N60SM.pdf
Gesamt:$2.35690
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$2.35690

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Artikelnummer
FGB40N60SM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 80A 349W D2PAK
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
Leistung max
349W
Energie wechseln
870µJ (on), 260µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
119nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
12ns/92ns
Testbedingung
400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263AB (D²PAK)

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