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RGTH00TS65GC11

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Artikelnummer
RGTH00TS65GC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$4.15000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$4.15000

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Artikelnummer
RGTH00TS65GC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Leistung max
277W
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
94nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
39ns/143ns
Testbedingung
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247N

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