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SI3993DV-T1-E3

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Artikelnummer
SI3993DV-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI3993DV-T1-E3.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SI3993DV-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
133 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
830mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP

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