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SQ4949EY-T1_GE3

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Artikelnummer
SQ4949EY-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQ4949EY-T1_GE3.pdf
Gesamt:$0.83212
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.83212

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Artikelnummer
SQ4949EY-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 25V
Leistung max
3.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC

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