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IPB015N04NGATMA1

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Artikelnummer
IPB015N04NGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPB015N04NGATMA1.pdf
Gesamt:$2.26457
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(In US-Dollar)
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$2.26457

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Artikelnummer
IPB015N04NGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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