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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln IRF8306MTR1PBF

IRF8306MTR1PBF

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Artikelnummer
IRF8306MTR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF8306MTR1PBF.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)		 1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
IRF8306MTR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
23A (Ta), 140A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4110pF @ 15V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 75W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MX
Paket / fall
DirectFET™ Isometric MX

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