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BSS209PW L6327

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Artikelnummer
BSS209PW L6327
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSS209PW L6327.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
BSS209PW L6327
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
580mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.5µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.38nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
89.9pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT323-3
Paket / fall
SC-70, SOT-323

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